[发明专利]MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201810400193.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108844652B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宇航;刘立滨;李平;许诺 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | G01K7/18 | 分类号： | G01K7/18;G01N27/333;G05D23/22 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 庞许倩;胡时冶 |
| 地址： | 100854 北京市海淀区永*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法，属于气体检测技术领域，解决了现有技术价格昂贵、响应时间长、环境稳定性差的问题。MEMS气体传感器芯片包括气体敏感单元、温度敏感单元、敏感结构衬底和温度控制单元。MEMS气体传感器，包括MEMS气体传感器芯片和控制电路；控制电路又包括微控制器、N型MOSFET、P型MOSFET、正负电源。微控制器对温度敏感单元采集的实际温度与预设温度进行比较，根据比较结果输出控制信号，控制N型MOSFET和P型MOSFET的通断，进而控制流经温度控制单元的电流方向和大小，改变敏感结构衬底表面的温度。本发明MEMS气体传感器操作简单、通用性强，可同时测量多种气体的浓度，节省了成本，而且响应时间短、环境稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | mems 气体 传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS气体传感器芯片，其特征在于，包括气体敏感单元、温度敏感单元、敏感结构衬底和温度控制单元；所述气体敏感单元和温度敏感单元处于同层，二者分别设置于所述敏感结构衬底的上方，且二者底面与所述敏感结构衬底的上表面直接接触；所述温度控制单元设置于所述敏感结构衬底的下方，用于控制敏感结构衬底表面的温度。
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