[发明专利]一种发光二极管的外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810401642.0 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108847436B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/26 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，属于半导体技术领域。外延结构包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的复合结构、氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，复合结构包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，(n+1)个第一子层和n个第二子层交替层叠设置；每个第一子层为氮化铝层，每个第二子层为氧化铝层。本发明通过在主要成分为氧化铝的蓝宝石衬底上交替层叠设置氮化铝层和氧化铝层，这样晶格特点从氧化铝到氮化铝的过渡从一个界面分散到整个复合结构，改善晶格常数突变的影响，有效分散晶格失配产生的应力，避免应力过于集中，可以提高后续形成的有源层等的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 蓝宝石 复合结构 外延结构 衬底 发光二极管 氮化铝层 交替层叠 氧化铝层 氧化铝 源层 半导体技术领域 未掺杂氮化镓层 氮化镓缓冲层 晶格常数 晶格失配 依次层叠 有效分散 氮化铝 正整数 晶格 突变 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延结构，所述外延结构包括蓝宝石衬底以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的氮化镓缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，其特征在于，所述外延结构还包括复合结构，所述复合结构设置在所述蓝宝石衬底和所述氮化镓缓冲层之间；所述复合结构包括(n+1)个第一子层和n个第二子层，n为正整数，所述(n+1)个第一子层和所述n个第二子层交替层叠设置；每个所述第一子层为氮化铝层，每个所述第二子层为氧化铝层；所述(n+1)个第一子层的厚度沿所述复合结构的层叠方向逐层增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810401642.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
