[发明专利]一种银纳米线网格-还原氧化石墨烯复合电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810401751.2 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108517048B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 闫兴振;周路;初学峰;王欢;杨帆;王超;边虹宇;史恺;李旭;迟耀丹;杨小天 申请(专利权)人: 吉林建筑大学
主分类号: C08J7/06 分类号: C08J7/06;C08J7/12;H01L51/52;C08L67/02;C08L79/08
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘奇
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供了一种银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极的制备方法,包括以下步骤:在衬底表面沉积银纳米线,得到银纳米线网格;在所述银纳米线网格上表面涂覆氧化石墨烯水溶液,在衬底表面形成银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜;对所述银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜进行紫外线照射,得到银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极。本发明提供的制备方法利用银纳米线表面的等离子体共振效应辅助紫外灯辐照还原氧化石墨烯,得到银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极,该制备方法步骤简单,成本低,容易操作,且所得复合电极有优异的空气稳定性和较高的导电性。
搜索关键词: 一种 纳米 网格 还原 氧化 石墨 复合 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极的制备方法,包括以下步骤:在衬底表面沉积银纳米线,形成银纳米线网格;在所述银纳米线网格上表面涂覆氧化石墨烯水溶液,在衬底表面形成银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜;对所述银纳米线网格‑氧化石墨烯复合薄膜进行紫外线照射,得到银纳米线网格‑还原氧化石墨烯复合电极。
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