[发明专利]微机电系统装置与微机电系统的封装方法有效
| 申请号： | 201810404016.7 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN109553065B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 林宏桦;刘丙寅;吴常明;彭荣辉;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;刘潇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供微机电系统装置与微机电系统的封装方法，其包括形成第一金属化结构于互补式金属氧化物半导体晶圆上，其中第一金属化结构包括第一牺牲氧化物层与第一金属接点垫。形成第二金属化结构于微机电系统晶圆上，其中第二金属化结构包括第二牺牲氧化物层与第二金属接点垫。接着将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起。在将第一金属化结构与第二金属化结构接合在一起之后，图案化并蚀刻微机电系统晶圆以形成微机电系统元件于第二牺牲氧化物层上。在形成微机电系统元件后移除第一牺牲氧化物层与第二牺牲氧化物层，使微机电系统元件沿着轴自由移动。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 装置 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统的封装方法，包括：形成一第一金属化结构于一互补式金属氧化物半导体晶圆上，其中该第一金属化结构包括一第一牺牲氧化物层与一第一金属接点垫；形成一第二金属化结构于一微机电系统晶圆上，其中该第二金属化结构包括一第二牺牲氧化物层与一第二金属接点垫；将该第一金属化结构接合至该第二金属化结构，其中该第一牺牲氧化物层的上侧表面接合至该第二牺牲氧化物层的上侧表面，且该第一金属接点垫的上侧表面接合至该第二金属接点垫的上侧表面；在将该第一金属化结构与该第二金属化结构接合在一起之后，图案化并蚀刻该微机电系统晶圆；以及在将该第一金属化结构与该第二金属化结构接合在一起之后，移除该第一牺牲氧化物层与该第二牺牲氧化物层，以形成一可动微机电系统元件。
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