[发明专利]一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201810404071.6 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108441951A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 王帅;郭巍;池凯 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于石墨烯合成技术领域，具体涉及化学气相沉积法合成单层大尺寸单晶石墨烯材料的方法。向化学气相沉积系统中通入预先配置好的标准混合气体，所述标准混合气体为高纯甲烷、高纯氢气和高纯氩气的混合气，在铜箔表面进行化学气相沉积生长获得大尺寸单晶石墨烯；其中甲烷作为石墨烯生长的碳源，所述铜箔作为石墨烯的生长催化基底。本发明通过改变化学气相沉积系统混合气体的供气方式，从而提高反应混合气的纯度，最终达到高重复率快速制备大尺寸单晶石墨烯的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 大尺寸单晶 化学气相沉积系统 标准混合气体 化学气相沉积 快速制备 反应混合气 石墨烯材料 高纯甲烷 高纯氢气 高纯氩气 供气方式 合成技术 混合气体 生长催化 铜箔表面 预先配置 高重复 混合气 生长 甲烷 单层 基底 铜箔 合成 | ||
【主权项】：
1.一种快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法，其特征在于，向化学气相沉积系统中通入预先配置好的标准混合气体，所述标准混合气体为高纯甲烷、高纯氢气和高纯氩气的混合气，在铜箔表面进行化学气相沉积生长获得大尺寸单晶石墨烯；其中甲烷作为石墨烯生长的碳源，所述铜箔作为石墨烯的生长催化基底。
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