[发明专利]接触插塞的形成方法及集成电路的制造方法

摘要

本发明提供了一种接触插塞的形成方法及集成电路的制造方法，在对接触孔进行金属填充之前，先在基底上形成一应力调整层，以使所述应力调整层的应力与接触孔填充时形成的金属层的应力至少部分抵消，从而保证了接触插塞的形成质量，避免了基底因受到金属过大的应力而发生变形及翘曲度增大的情况，保证了基底在允许的范围内发生变形及翘曲度变化，进而保障了器件的正常工作，提高了半导体器件的成品率。

主权项

1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上形成有一层间介质层；在所述层间介质层上形成一应力调整层；在所述层间介质层和所述应力调整层中形成接触孔，且所述接触孔暴露出位于层间介质层下的待引出区；在所述基底上形成一金属层，所述金属层覆盖所述应力调整层并填充所述接触孔；去除位于所述层间介质层上方的所述应力调整层和所述金属层，并保留位于所述接触孔中的金属层，以形成与所述待引出区电连接的接触插塞；其中，所述应力调整层具有的应力与所述金属层具有的应力相反，以至少部分抵消所述金属层的应力。