[发明专利]一种49S石英晶体谐振器的制备方法在审
| 申请号： | 201810406140.7 | 申请日： | 2018-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110417376A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 谢尚平;毛毅;吴延剑 | 申请（专利权）人： | 珠海东精大电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开并提供一种高精度的49S石英晶体谐振器的制备方法，本发明包括以下步骤:a.通过增大晶片的尺寸，进而消除因晶片尺寸比例引起的寄生频率；b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量；c.计算返回频率，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀，d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面；e.调整电极尺寸，所述电极尺寸与所述晶片尺寸相匹配，所述电极尺寸对C1动态电容、灵敏度、寄生杂波抑制起到作用；f.通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶通过高温固化。 | ||
| 搜索关键词： | 石英晶片 晶片 电极 石英晶体谐振器 研磨 镀膜 制备 低真空条件 晶体谐振器 动态电容 高温固化 寄生频率 精细研磨 清洁石英 上导电胶 深度腐蚀 酸性溶液 引出电极 杂波抑制 氮离子 灵敏度 频率差 寄生 膜层 轰击 匹配 预留 腐蚀 返回 | ||
【主权项】：
1.一种49S石英晶体谐振器的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：a.通过增大晶片的尺寸，进而消除因晶片尺寸比例引起的寄生频率；b.设计石英晶片在研磨机上进行粗、中、细精细研磨间的频率预留量；c.计算返回频率，根据返回频率得出合适的腐蚀频率后，利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀，腐蚀厚度为0.04mm；d.在低真空条件下，采用氮离子对石英晶片的表面进行轰击，清洁石英晶片的表面去除石英晶片表面的异物，提高银层和水晶片的附着力；e.将调整电极尺寸调整为8.01×2.05×0.06×3.5×1.4，使所述电极尺寸与所述晶片尺寸相匹配，所述电极尺寸对C1动态电容、灵敏度、寄生杂波抑制起到重要作用；f.通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜，形成引出电极，并使其频率达到规定范围；g.将镀膜后的石英晶片装在基座上，点上导电胶通过高温固化。
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