[发明专利]一种基于基片集成间隙波导的耦合器

摘要

本发明涉及一种基于基片集成间隙波导的耦合器，该耦合器结构由上层介质板（5）和下层介质板（6）紧密连接而成。上层介质板（5）的上表面印刷有接地金属层，下表面印刷有耦合微带线（13）；下层介质板（6）上表面印刷有周期性的圆形金属贴片（9）、（15）和H型耦合微带线（12），下表面印刷有金属层，并在下层介质板（6）上打有周期性的金属过孔（10）、（11）、（14）。本发明具有易集成、小尺寸、宽带宽、低损耗、较高隔离等优点。

主权项

1.一种基于基片集成间隙波导的耦合器，其特征在于包括上层介质板（5），下层介质板（6），其中： a、上层介质板（5）是一块带有两个矩形槽的长方形介质板，其上表面印刷有金属地，下表面印刷有耦合微带线（13）；耦合微带线（13）的中间位置开有一个矩形缝隙（7）；耦合微带线（13）的四个端口分别为第一端口（1），第二端口（2），第三端口（3）和第四端口（4）；第一端口（1）为输入端口，第二端口（2）为直通端口，第三端口（3）为耦合端口，第四端口（4）为隔离端口； b、下层介质板（6）的下表面印刷有金属地，上表面印刷有周期性圆形金属贴片（9）和（15），H型耦合微带线（12）；下层介质板（6）上打有周期性金属过孔（10）、（11）和（14）；H型耦合微带线（12）的中间位置开有矩形缝隙（8）；H型耦合微带线（12）通过金属过孔（11）与金属地相连； c、圆形金属贴片（9）与金属过孔（10）构成第一种蘑菇型EBG结构阵列，并通过金属过孔（10）与金属地连接; 圆形金属贴片（15）与金属过孔（14）构成第二种蘑菇型EBG结构阵列，并通过金属过孔（14）与金属地连接；第一种EBG结构阵列排列在H型耦合微带线（12）的两侧；第二种EBG结构阵列排列在H型耦合微带线（12）的中间； d、下层介质板（6）的上表面与上层介质板（5）的下表面紧密连接；上层介质板（5）下表面的耦合微带线（13）与下层介质板（6）上表面的H型耦合微带线（12）重合连接；矩形缝隙（7）和矩形缝隙（8）重合。