[发明专利]半导体装置结构有效
| 申请号： | 201810409593.5 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109768030B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 黄文社;薛琇文;陈郁翔;陈启平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/498 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体装置的结构和形成方法。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第二介电层上，且电阻元件的第二部分往导电部件延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构，包括：一半导体基底；一第一介电层，在该半导体基底上；一导电部件，在该第一介电层中；一第二介电层，在该第一介电层上；以及一电阻元件，电性连接至该导电部件，其中该电阻元件的一第一部分在该第二介电层上，且该电阻元件的一第二部分往该导电部件延伸。
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