[发明专利]一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种适用于集成电路的平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N⁺源区(5)、P⁺接触区(6)、P阱(7)、N^‑栅下漂移区(8)、N外延层(9)、N⁺漏区(10)、N^‑漏极下漂移区(11)和P衬底(12).本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管，通过对漂移区靠近栅极部分的掺杂浓度和厚度调节和在衬底靠近漏区部分进行低浓度N型掺杂，使器件击穿时电场分布非常均匀，没有特别陡峭的电场尖峰,使器件击穿电压得以提高。在漂移区长度为5μm的条件下，击穿电压达到1146V。本发明提出的碳化硅平面型功率场效应晶体管可作为功率集成电路中的开关器件使用。

主权项

1.一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N+源区(5)、P+接触区(6)、P阱(7)、N‑栅下漂移区(8)、N外延层(9)、N+漏区(10)、N‑漏极下漂移区(11)和P衬底(12)，其特征在于：N‑漏极下漂移区(11)是采用离子注入工艺在P衬底(12)内形成的低浓度N型掺杂区；N+漏区(10)是采用离子注入工艺在N外延层(9)中形成的高浓度N型掺杂区；N外延层(9)是采用化学气相沉积或者离子注入的方式形成于P衬底上的N型掺杂区；N‑栅下漂移区(8)是采用高温离子注入工艺在N外延层(9)内形成的低浓度N型掺杂区；P阱(7)是采用高温离子注入工艺在P衬底(12)内形成的P型掺杂区；P+接触区(6)是采用高温离子注入工艺在P阱(7)内远离N外延层(9)处形成的高浓度P型掺杂区；N+源区(5)是采用离子注入工艺在P阱(7)内形成的高浓度N型掺杂区；氧化层(4)是采用LPECVD电极或者热氧化工艺形成于部分区域的P阱(7)之上的氧化物；漏极(3)是淀积在部分区域的N+漏区(10)之上的金属；栅极(2)是淀积在部分区域的氧化层(4)之上的N型金属；源极(1)是淀积在全部区域的P+接触区(6)和部分区域的N+源区(5)之上的金属。