[发明专利]一种LED芯片制作方法有效
| 申请号： | 201810409971.X | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108666212B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;刘召军;王立铎;魏枫 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片制作方法，该LED芯片制作方法包括：提供衬底；根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；在衬底上形成LED芯片外延层；形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案，通过先对衬底进行切割处理，再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层，在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下，可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤，且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题，提高了形成的LED芯片的性能和质量，节约了大量时间和资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；根据单颗LED芯片尺寸将所述衬底进行切割处理；在所述衬底上形成LED芯片外延层；形成多个单颗LED芯片的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
