[发明专利]减少背照式图像传感器暗电流的方法

摘要

本发明提供一种减少背照式图像传感器暗电流的方法，包括如下步骤：1）提供一器件晶圆；2）提供一支撑晶圆；3）将所述器件晶圆正面朝下键合于所述支撑晶圆的表面；4）自所述器件晶圆的背面对所述器件晶圆进行减薄；5）对减薄后的所述器件晶圆进行刻蚀，以在减薄后的所述器件晶圆内形成背面深沟槽；6）于含氧气氛下使用紫外线对所述器件晶圆形成有所述背面深沟槽的表面进行照射。本发明通过在对器件晶圆进行背面深沟槽刻蚀之后，在含氧气氛下使用紫外线对器件晶圆的表面进行照射处理，可以起到钝化Si表面的作用，可以去除由于刻蚀工艺在Si表面形成的悬挂键，降低缺陷能级，界面复合减少，达到降低暗电流的目的。

主权项

1.一种减少背照式图像传感器暗电流的方法，其特征在于，所述减少背照式图像传感器暗电流的方法包括如下步骤：1)提供一器件晶圆；2)提供一支撑晶圆；3)将所述器件晶圆正面朝下键合于所述支撑晶圆的表面；4)自所述器件晶圆的背面对所述器件晶圆进行减薄；5)对减薄后的所述器件晶圆进行刻蚀，以在减薄后的所述器件晶圆内形成背面深沟槽；6)于含氧气氛下使用紫外线对所述器件晶圆形成有所述背面深沟槽的表面进行照射。