[发明专利]包括波长转换层的发光二极管及制造该发光二极管的方法

摘要

公开了一种包括波长转换层的发光二极管及制造该发光二极管的方法。发光二极管(100)包括：用于发射第一波长λ1的光的结构(102)，该结构包括p‑n结(106、108)，在该p‑n结中布置有有源区(110)，该有源区包括包含在两个第一势垒层(114)之间的InX1Ga1‑X1N的第一发射层(112)；转换结构(104)，该转换结构(104)被配置用于将由发射结构发射的光转换成与第一波长不同的第二波长，该转换结构(104)布置在发射结构上并包括第二InX2Ga1‑X2N发射层，该第二InX2Ga1‑X2N发射层布置在两个第二势垒层之间，该两个第二势垒层各自包括通过GaN中间层彼此分开的多个InX3Ga1‑X3N吸收层；其中，铟浓度X1、X2和X3为使得0X1X2并且Eg(InX2Ga1‑X2N)Eg(InX3Ga1‑X3N)≤h*c/λ1。

主权项

1.一种发光二极管(100)，至少包括：‑用于发射至少一种第一波长λ1的光的结构(102)，所述结构(102)包括p‑n结(106、108)，在所述p‑n结(106、108)中布置有有源区(110)，所述有源区(110)包括由第一发射层(112)形成的至少一个第一量子阱，所述第一发射层(112)包含布置在两个第一势垒层(114)之间的InX1Ga1‑X1N；‑转换结构(104)，所述转换结构(104)被配置用于将要由发射结构(102)发射的光转换为不同于所述第一波长λ1的至少一种第二波长λ2，所述转换结构(104)布置在所述发射结构(102)上并且包括由第二InX2Ga1‑X2N发射层(118)形成的至少一个第二量子阱，所述第二InX2Ga1‑X2N发射层(118)布置在两个第二势垒层(120)之间，所述两个第二势垒层(120)各自包括通过至少一个第一GaN中间层(124)彼此分开的多个第一InX3Ga1‑X3N吸收层(122)；其中，铟浓度X1、X2和X3为使得0

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会;泰雷兹公司，未经原子能和替代能源委员会;泰雷兹公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810410655.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。