[发明专利]半导体集成装置及其栅极筛查试验方法有效
| 申请号： | 201810410764.6 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN109119418B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 森贵浩;澄田仁志;佐佐木雅浩;中森昭;齐藤俊;富田航;佐佐木修 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;G01R31/26;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种不需要设置附加电路、并且不另外设置栅极筛查端子就能够进行栅极筛查试验的半导体集成装置及其栅极筛查试验方法。具备：栅极驱动部(12)，其对电压控制型半导体元件(Q2)的栅极进行驱动；以及调节器(13)，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压，具备外部连接端子(tc)，在栅极筛查试验时，能够对该外部连接端子(tc)施加针对所述电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成 装置 及其 栅极 试验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成装置，具备：栅极驱动部，其对电压控制型半导体元件的栅极进行驱动；以及调节器，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压，其中，所述调节器具备外部连接端子，在栅极筛查试验时，能够对该外部连接端子施加针对所述电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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