[发明专利]一种Ⅱ-类超晶格红外探测器吸收区结构

摘要

本发明公开了一种Ⅱ‑类超晶格红外探测器吸收区结构，吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成，每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、第一类GaAs界面、第一GaSb层、第一InSb层、第二GaSb层、第二InSb层、第三GaSb层、第二类GaAs界面。本发明的Ⅱ‑类超晶格红外探测器吸收区结构，吸收波长可以分别针对短波红外（SWIR，1‑3微米）、中波红外（MWIR，3‑5微米）、长波红外（LWIR，8‑12微米）、甚长波红外（VLWIR，12‑30微米）波段进行高效的吸收。

主权项

1.一种Ⅱ‑类超晶格红外探测器吸收区结构，其特征在于，所述吸收区由若干层超晶格层依次叠加构成，每层超晶格层从下往上依次包括有InAs层、第一类GaAs界面、第一GaSb层、第一InSb层、第二 GaSb层、第二InSb层、第三GaSb层、第二类GaAs界面。