[发明专利]一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用在审
| 申请号： | 201810411141.0 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108560054A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚;陈玉峰;张磊 | 申请（专利权）人： | 山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 颜洪岭 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构及其应用，包括坩埚、侧保温层、上保温层和下保温层；坩埚的上端设置所述的上保温层，坩埚的下端设置所述的下保温层，在坩埚、上保温层、下保温层的外部设置所述的侧保温层。本发明提供的SiC单晶生长用热场结构可依照温场的需求，调节石墨纤维方向、保温厚度。同时，可根据生长损耗，简单方便地替换损耗的保温单元。此热场结构能有效减少与四周冷热量的能量交换，降低热能损耗，同时提高生长的重复性和可靠性，作用明显、效果显著，具有较高的经济效益，值得推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 热场结构 坩埚 单晶生长 上保温层 下保温层 保温层 低应力 可重复 保温单元 能量交换 热能损耗 石墨纤维 外部设置 有效减少 上端 生长 冷热量 温场 下端 保温 替换 应用 | ||
【主权项】：
1.一种低应力可重复的SiC单晶生长用热场结构，其特征在于，包括坩埚、侧保温层、上保温层和下保温层；坩埚的上端设置所述的上保温层，坩埚的下端设置所述的下保温层，在坩埚、上保温层、下保温层的外部设置所述的侧保温层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院，未经山东大学;国网山东省电力公司电力科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810411141.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
