[发明专利]倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法

摘要

一种倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法，适用于倒装四元系LED结构。倒装四元系LED外延结构包括：腐蚀截止层、电流扩展层、N型层、发光层、P型层，通过提出采用AlGaAs材料作为电流扩展层代替传统的AlGaInP层，达到程序时间缩短（降低成本）及长晶质量提升的技术效果，通过该外延结构获得的发光二极管的ESD提升率为20%以上。

主权项

1.倒装四元系发光二极管外延结构，在生长衬底上从下至上包括：腐蚀截止层、电流扩展层、N型层、发光层、P型层，其特征在于：电流扩展层为AlxGa1‑xAs，0

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