[发明专利]一种石墨烯透明导电薄膜的等离子体制备方法有效
| 申请号： | 201810411860.2 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108314024B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;沈丽 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯透明导电薄膜的等离子体制备方法。通过等离子体氧化技术对双原子层或三原子层厚度的石墨烯的外层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的外修饰石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备薄膜后还原，得到高导电率透明导电薄膜。本发明方法运用等离子体技术对三原子层石墨烯的外面两层或双原子层的外侧进行氧化修饰，三原子层石墨烯材料中间的片层未被氧化，仍然保持良好的导电性，双原子层石墨烯只有一侧受到氧化，氧化程度相比单层也会有所降低，同时，修饰上含氧基团克服了双原子层或三原子层高质量石墨烯材料难以处理并且容易堆积的问题，实现了石墨烯的性能较好的保持，可应用在光电器件和能源存储等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 透明 导电 薄膜 等离子体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯透明导电薄膜的等离子体制备方法，包括如下步骤：(1)将氯化碘、溴化碘或者无水三氯化铁等与石墨混合加热制备二阶或三阶石墨插层化合物，使石墨插层化合物在湍流、高温或者亚/超临界流体中进行化学反应，从而高效制备两原子层或者三原子层高质量石墨烯；(2)采用等离子体氧化技术对双原子层或三原子层厚度的高质量石墨烯材料的外侧进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的外修饰石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备薄膜后还原，得到高导电率透明导电薄膜。
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