[发明专利]一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法有效
| 申请号： | 201810412014.2 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108428883B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;陈霁 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 江苏省盐城市希望*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法。通过小片层石墨插层化合物层间反应产生气体，剥离石墨片层得到小尺寸石墨烯材料；小尺寸石墨烯在浓硫酸和浓硝酸混酸体系中处理4h后，再用质量分数为30％过氧化氢水溶液处理2h，得到小尺寸边缘修饰石墨烯材料；将边缘修饰石墨烯材料与纳米硅颗粒超声混合均匀后，采用真空抽滤法制备独立自支撑薄膜，采用热化学法去除边缘的羧基后得到复合电极材料。本发明中的小尺寸边缘修饰石墨烯材料具有较高的电子电导与离子电导，可改善硅基材料的倍率性能，抑制硅在循环过程中的体积效应，具备良好的分散性，与硅颗粒混合均匀，阻隔硅与电解液直接接触，降低不可逆容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 边缘 修饰 石墨 复合 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法，包括如下步骤：(1)通过小片层石墨插层化合物层间反应产生气体剥离石墨片层，得到小尺寸石墨烯材料，小尺寸石墨烯在浓硫酸和浓硝酸混酸体系中处理4h后，再用质量分数为30％过氧化氢水溶液处理2h，得到小尺寸边缘修饰石墨烯材料；(2)将边缘修饰石墨烯材料与纳米硅颗粒超声混合均匀后，采用真空抽滤法制备独立自支撑薄膜，采用热化学法去除边缘的羧基后得到复合电极材料。
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