[发明专利]一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810412015.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108314027B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 苗中正;刘亚兵 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法。采用特定的氧化剂对三原子层高质量石墨烯的外面两层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备三原子厚度的薄膜后进行还原，得到高导电率透明导电薄膜。本发明方法制备的外修饰三原子层石墨烯材料中间的石墨烯片层未被氧化，仍然保持良好的导电性，外部两片层修饰上羟基/环氧基，克服了石墨烯难以处理并且容易堆积的问题。羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料赋予了石墨烯进一步的加工性能和可处理性，同时实现了石墨烯的性能较好的保持，可应用在光电器件和能源存储等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 羟基 环氧基外 修饰 石墨 透明 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高导电率的羟基/环氧基外修饰石墨烯透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将溴化碘或者无水三氯化铁等与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物，使三阶石墨插层化合物在湍流或者亚/超临界流体中进行化学反应，从而高效制备三原子层高质量石墨烯；(2)采用特定的氧化剂和浓酸体系对三原子层高质量石墨烯的外面两层进行氧化修饰，得到可分散在常见溶剂中的羟基/环氧基外修饰三原子层石墨烯材料，运用线棒涂膜法与旋涂法等制备三原子厚度的薄膜后进行还原，得到高导电率透明导电薄膜。
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