[发明专利]一种石墨烯/硅电极材料的静电自组装制备方法在审
申请号: | 201810412021.2 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108598434A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 苗中正;徐子雯 | 申请(专利权)人: | 盐城师范学院 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 224000 江苏省盐城市希望*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种石墨烯/硅电极材料的静电自组装制备方法。采用高锰酸钾等氧化剂对高质量石墨烯进行全碳面氧化,得到了含氧基团在石墨烯片层表面均匀分布的氧化石墨烯材料;采用氢氟酸刻蚀硅颗粒表面的氧化物,选用十六烷基三甲基溴化铵对纳米硅进行电荷修饰,使纳米硅粒子带有正电荷,进而与氧化石墨烯完成静电自组装;采用真空抽滤法制备独立自支撑薄膜,室温下经氢碘酸还原后得到复合电极材料。本发明中的氧化石墨烯材料表面含氧基团均匀分布,在静电自组装过程中可以与带有正电荷的纳米硅粒子复合均匀,抑制硅在循环过程中的体积效应,阻隔硅与电解液直接接触,降低不可逆容量并改善硅基材料的倍率性能。 | ||
搜索关键词: | 静电自组装 氧化石墨烯 石墨烯 纳米硅粒子 含氧基团 硅电极 正电荷 制备 高锰酸钾 十六烷基三甲基溴化铵 复合电极材料 氧化剂 不可逆容量 石墨烯片层 自支撑薄膜 倍率性能 电荷修饰 硅基材料 体积效应 循环过程 真空抽滤 电解液 硅颗粒 纳米硅 氢碘酸 氢氟酸 氧化物 刻蚀 全碳 还原 阻隔 复合 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯/硅电极材料的静电自组装制备方法,包括如下步骤:(1)采用高锰酸钾等氧化剂对高质量石墨烯进行全碳面氧化,得到了含氧基团在石墨烯片层表面均匀分布的氧化石墨烯材料;(2)采用氢氟酸刻蚀硅颗粒表面的氧化物,选用十六烷基三甲基溴化铵对纳米硅进行电荷修饰,使纳米硅粒子带有正电荷,进而与带负电的氧化石墨烯完成静电自组装,采用真空抽滤法制备独立自支撑薄膜,室温下经氢碘酸还原后得到复合电极材料。
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