[发明专利]一种具有倒装结构的紫外发光二极管

摘要

本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管，其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者Al_aGa_1‑aN缓冲层、n型Al_bGa_1‑bN区、Al_cGa_1‑cN‑Al_dGa_1‑dN多量子阱有源区、BN电子阻挡层、Al_eGa_1‑eN‑BN布拉格反射镜结构p型区、重掺p型GaN层、ITO导电层、在ITO导电层上设置有p型欧姆电极，在n型Al_bGa_1‑bN层上设置有n型欧姆电极，且n型欧姆电极与除n型Al_bGa_1‑bN层以外的其他区域绝缘。该二极管有效提高了紫外LED的发光效率，同时大幅降低紫外LED的开启电压和电阻率。

主权项

1.一种具有倒装结构的紫外发光二极管，其特征在于：该二极管包括自下而上依次接触设置的衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂AlN或者Al_aGa_1‑aN缓冲层(103)、n型Al_bGa_1‑bN区(104)、Al_cGa_1‑cN‑Al_dGa_1‑dN多量子阱有源区(105)、BN电子阻挡层(106)、Al_eGa_1‑eN‑BN布拉格反射镜结构p型区(107)、重掺p型GaN层(108)和ITO导电层(109)，在ITO导电层(109)上接触设置有p型欧姆电极(110)，在n型Al_bGa_1‑bN层(104)上还接触设置有n型欧姆电极(111)，n型欧姆电极(111)向上贯穿其他区域并伸出ITO导电层(109)，n型欧姆电极(111)与除n型Al_bGa_1‑bN区(104)以外的其他区域之间设置有绝缘层(112)，其中0<c<a、b、d、e<1。