[发明专利]一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法在审
申请号: | 201810413313.8 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108807563A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 戴松喦;祁洪飞;刘大博 | 申请(专利权)人: | 中国航发北京航空材料研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 陈宏林 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法,该电极为高度有序的金属纳米阵列结构,该透明电极的金属纳米阵列厚度为10~50nm;金属纳米阵列的微孔间宽度为10~100nm;金属纳米阵列孔径为50~500nm。其制备方法为:用单分散聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板,然后利用磁控溅射技术,向模板缝间沉积金属,溅射时间5~10分钟;最后,经有机溶剂超声清洗20~30分钟去除聚苯乙烯微球模板,得到所述透明电极。本发明的透明电极的金属纳米阵列结构可以兼顾高透光率、高导电率、高柔性和低成本等基本要素,在光电器件、光探测器以及半导体发光等方面有广泛的用途;本发明的制备方法工艺简单、易于操作。 | ||
搜索关键词: | 金属纳米阵列 透明电极 制备 金属纳米阵列结构 电极 探测器 单分散聚苯乙烯微球 聚苯乙烯微球模板 磁控溅射技术 胶体晶体模板 制备方法工艺 超声清洗 沉积金属 高导电率 高度有序 高透光率 光电器件 光探测器 基本要素 有机溶剂 低成本 高柔性 模板缝 单层 溅射 去除 微孔 半导体 发光 组装 | ||
【主权项】:
1.一种探测器用金属纳米阵列电极,其特征在于:该电极为有序的金属纳米阵列结构,金属纳米阵列中微孔(1)的孔径D为50~500nm,金属纳米阵列厚度H为10~50nm,金属纳米阵列微孔间宽度L为孔径D的1/4~1/5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的