[发明专利]一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810413313.8 申请日: 2018-05-02
公开(公告)号: CN108807563A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 戴松喦;祁洪飞;刘大博 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18;B82Y40/00
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 陈宏林
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种探测器用金属纳米阵列电极及其制备方法,该电极为高度有序的金属纳米阵列结构,该透明电极的金属纳米阵列厚度为10~50nm;金属纳米阵列的微孔间宽度为10~100nm;金属纳米阵列孔径为50~500nm。其制备方法为:用单分散聚苯乙烯微球组装单层胶体晶体模板,然后利用磁控溅射技术,向模板缝间沉积金属,溅射时间5~10分钟;最后,经有机溶剂超声清洗20~30分钟去除聚苯乙烯微球模板,得到所述透明电极。本发明的透明电极的金属纳米阵列结构可以兼顾高透光率、高导电率、高柔性和低成本等基本要素,在光电器件、光探测器以及半导体发光等方面有广泛的用途;本发明的制备方法工艺简单、易于操作。
搜索关键词: 金属纳米阵列 透明电极 制备 金属纳米阵列结构 电极 探测器 单分散聚苯乙烯微球 聚苯乙烯微球模板 磁控溅射技术 胶体晶体模板 制备方法工艺 超声清洗 沉积金属 高导电率 高度有序 高透光率 光电器件 光探测器 基本要素 有机溶剂 低成本 高柔性 模板缝 单层 溅射 去除 微孔 半导体 发光 组装
【主权项】:
1.一种探测器用金属纳米阵列电极,其特征在于:该电极为有序的金属纳米阵列结构,金属纳米阵列中微孔(1)的孔径D为50~500nm,金属纳米阵列厚度H为10~50nm,金属纳米阵列微孔间宽度L为孔径D的1/4~1/5。
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