[发明专利]一种管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺

摘要

本发明公开一种管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺。通过改进的管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺，其既兼顾了双/多层减反射膜与渐变膜的优势，同时又弥补了双/多层减反射膜与渐变膜的不足之处。最终实现镀膜后的硅片少子寿命和太阳能晶硅电池端效率的提高，故而它也适用于单晶/多晶常规与高效PERC电池。本发明相对双以及多层减反膜，具备更低的氮化硅吸光系数，降低了氮化硅薄膜对光的吸收，增加光生载流子；宽带增加，进一步增强了300‑580 nm短波段和800‑1100 nm长波段光谱响应；降低了不同膜层界面的应力分布，提高了膜层抗损伤能力，从而使钝化效果达到最佳。

主权项

1.一种管式PECVD沉积氮化硅叠层减反射膜工艺，其特征在于：在刻蚀后的硅片正表面沉积氮化硅薄膜，并且该工艺适用于单晶、多晶与高效PERC电池。