[发明专利]包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件有效
| 申请号： | 201810413858.9 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108807416B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | S·丁克尔;拉夫·尹葛恩;瑞夫·理查;S·詹森 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B51/30 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本披露涉及包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件，其提供储存元件，例如储存晶体管，其中，基于在SOI晶体管架构的埋置绝缘层中所形成的铁电材料提供至少一个储存机制。在另外的示例实施例中，在该栅极电极结构中实施一个另外的储存机制，以提供增加的总体信息密度。在一些示例实施例中，该栅极电极结构中的该储存机制以铁电材料形式提供。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 基于 埋置铁电 材料 储存 机制 非易失性 晶体管 元件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性储存元件，包括：沟道区，形成于半导体材料中；控制电极结构，经设置以控制经过该沟道区的电流；第一储存机制，经设置以调节该沟道区的阈值电压的值；以及第二储存机制，经设置以调节该阈值电压的该值，该第二储存机制包括铁电材料并经配置以能够结合该第一储存机制选择该沟道区的该阈值电压的两个以上不同的值。
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