[发明专利]一种纳米半球压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810415776.8 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108801512A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;何鑫;吴健豪;蒋庭辉;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米半球压力传感器的制备方法，(1)以图形化蓝宝石衬底为模板，在图形化蓝宝石衬底上均匀旋涂PMMA，固化、脱模之后，得到具有半球凹形的PMMA模板；(2)在所述PMMA模板上均匀涂覆Ag纳米线，所述Ag纳米线渗入或进入PMMA模板的半球凹形的凹坑当中；(3)接着在PMMA模板上均匀涂覆PDMS；(4)在PDMS上继续均匀涂覆所述Ag纳米线，接着取步骤(1)另一所述PMMA模板进行机械压印；(5)固化，除去PMMA模板，获得正反两面都具有纳米级半球结构的PDMS；(6)采用镀有氧化铟锡的PET面对面进行封装，并制备引出电极。本发明的传感器响应灵敏度高，且制备方法简单，适合大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 均匀涂覆 纳米线 图形化蓝宝石 压力传感器 半球凹形 衬底 固化 传感器响应 半球结构 氧化铟锡 引出电极 正反两面 灵敏度 纳米级 凹坑 脱模 旋涂 压印 封装 渗入 | ||
【主权项】：
1.一种纳米半球压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以图形化蓝宝石衬底为模板，在图形化蓝宝石衬底上均匀旋涂PMMA，固化、脱模之后，得到具有半球凹形的PMMA模板；(2)在所述PMMA模板上均匀涂覆Ag纳米线，所述Ag纳米线渗入或进入PMMA模板的半球凹形的凹坑当中；(3)接着在PMMA模板上均匀涂覆PDMS；(4)在PDMS上继续均匀涂覆所述Ag纳米线，接着取步骤(1)另一所述PMMA模板进行机械压印；(5)固化，除去PMMA模板，获得正反两面都具有纳米级半球结构的PDMS；(6)利用以PET为衬底的氧化铟锡薄膜为电极，将纳米级半球结构的PDMS夹在两块所述电极之间，封装成三明治传感器结构，并制备引出电极，得到所述纳米半球压力传感器。
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