[发明专利]掩膜版及其制作方法有效
| 申请号： | 201810416800.X | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108611593B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘孟彬;罗海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315801 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：衬底，包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内有贯穿衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，包括相邻的图形区和遮挡区，图形区有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，开口露出图形区且每一图形区与开口相对应；第一牺牲层，位于掩膜图形层背向衬底一侧的遮挡区表面上，第一牺牲层有多个第一开孔，第一开孔露出图形区且每一图形区与第一开孔相对应；保护层，覆盖第一牺牲层背向图形掩膜层一侧的表面和第一开孔侧壁。本发明掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高掩膜版的质量和精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一表面以及与所述第一表面相背的第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层包括相邻的图形区和遮挡区，所述图形区具有至少一个贯穿所述掩膜图形层的通孔，其中，所述开口露出所述图形区，且每一图形区与所述开口相对应；第一牺牲层，位于所述掩膜图形层背向所述衬底一侧的遮挡区表面上，所述第一牺牲层具有多个第一开孔，其中，所述第一开孔露出所述图形区，且每一图形区与所述第一开孔相对应；保护层，覆盖所述第一牺牲层背向所述图形掩膜层一侧的表面以及所述第一开孔的侧壁。
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