[发明专利]一种改善单晶太阳电池光衰问题的氢钝化工艺有效
申请号: | 201810417130.3 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108630772B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘庆平;邱江南;张明明;邹臻峰;赵戟;邵辉良;陈圆;付少剑 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/043 | 分类号: | H01L31/043;H01L31/18 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙) 36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善单晶太阳电池光衰问题的氢钝化工艺,利用太阳电池表面SiN:H膜层内的H,通过控制施加在电池上的电流、温度等因素,来调节硅基体内B‑O缺陷在高复合态与低复合态之间的转换量,同时利用电流来调节H对其的钝化量,达到一种新的稳定状态,这种状态不会因光照而回到高复合状态来影响电池效率,以此来实现单晶太阳电池效率降幅0.07%以内的情况下,标准光衰测试条件下,衰减率降低至1.5%以内。本发明工艺并不局限于单晶太阳能电池,也包括类单晶及多晶太阳能电池,且在多晶太阳电池上得到的光衰改善不会降低电池的光电转换效率;本发明所选择的工艺温度、电流及时间易于达到和控制,方法简单、效果明显、且可以兼容工业生产,具有较高的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 单晶太阳电池 光衰 高复合 氢钝化 多晶 电池 单晶太阳能电池 光电转换效率 太阳电池表面 太阳能电池 测试条件 影响电池 标准光 衰减率 单晶 钝化 硅基 膜层 光照 兼容 体内 施加 复合 局限 转换 | ||
【主权项】:
1.一种改善单晶太阳电池光衰问题的氢钝化方法,包括直流电源(1)、单晶电池(2)、导电隔板(3)、通气孔(4)、通风板(5);其特征在于:直流电源(1)通过导线与单晶电池(2)正负极上的导电隔板(3)电性连接;单晶电池(2)的外部安装有外部控温系统;所述的外部控温系统由通气孔(4)、通风板(5)构成;所述的单晶电池(2)的两侧安装有带有气孔的通风板(5);上述的通风板(5)的一侧均安装有一个通气孔(4),上述的通风板(5)的气孔均与通气孔(4)连通;所述的导电隔板(3)为铝板、铜板、铂板、铅板、锌板中的一种;所述的导电隔板(3)和通风板(5)的厚度为3‑7 mm;所述方法主要分为四个阶段,具体如下:第一阶段:将单晶电池堆叠串联,同规格单晶电池片同向堆叠串联,电池片数量为100‑400片;第二阶段:将直流电源正极接单晶电池正极(P型端),负极接电池负极(N型端),对电池施加正向电流施加1‑5A;外部控温系统是稳定其电池温度为100‑150℃;保持10‑40min;第三阶段:第二阶段结束后,对电池施加正向电流施加7‑12A;外部控温系统是稳定其电池温度为150‑200℃;保持5‑30min;第四阶段:第三阶段结束后,对电池施加正向电流施加5‑10A;外部控温系统是稳定其电池温度为140‑180℃;30‑60min后通过降温系统降至常温进行后续工艺;所述方法的单晶电池堆叠串联方式是采用每8‑12电池片H型和十字型同向堆叠串联中的一种;所述方法的单晶电池在标准光衰测试条件为:光照功率为1000‑3000W,测试时间为5‑12小时;所述方法的单晶电池在标准光衰测试条件下光电转换效率降低量为‑0.07%‑0.02%,光的衰减率为0.2%‑1.5%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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