[发明专利]光刻曝光设备及光刻曝光方法有效
| 申请号： | 201810418147.0 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108628109B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘必秋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光刻曝光设备，涉及集成电路制造技术，该光刻曝光设备包括光源、掩膜版及晶圆，所述掩膜版位于所述光源与所述晶圆之间，所述光源用于发出光束照射所述掩膜版，其中，所述光源发出至少两种带宽的光束；以使光刻曝光设备针对掩膜版的不同区域的工艺窗口最大化，进而提高光刻工艺的整体工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻曝光设备，其特征在于，包括：一光源、一掩模版及一晶圆，所述掩模版位于所述光源与所述晶圆之间，所述光源用于发出光束照射所述掩模版，其中，所述光源发出至少两种带宽的光束。
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