[发明专利]像素单元顶部的沟槽及其制造方法

摘要

本发明公开了一种像素单元顶部的沟槽，像素单元形成于有源区中，在像素单元的周侧形成有多晶硅层，多晶硅层将像素单元的区域全部暴露；顶部介质层覆盖在像素单元和多晶硅层的表面；沟槽通过对顶部介质层的刻蚀形成，沟槽的底部区域的开口边界由多晶硅层的侧面自对准定义，保证沟槽的底部将像素单元的区域全部打开；沟槽的顶部区域的开口边界通过光刻定义，沟槽的顶部区域的开口大于沟槽的底部区域的开口；沟槽的刻蚀工艺以多晶硅层为停止层并使沟槽的顶部区域的开口边界落在多晶硅层上。本发明还公开了一种像素单元顶部的沟槽的制造方法。本发明能防止沟槽的刻蚀工艺对像素单元表面产生损伤，防止像素功能指标恶化。

主权项

1.一种像素单元顶部的沟槽，其特征在于：像素单元形成于有源区中，所述有源区的周侧通过场氧隔离；在所述像素单元的周侧形成有多晶硅层，所述多晶硅层将所述像素单元的区域全部暴露；顶部介质层覆盖在所述像素单元和所述多晶硅层的表面；沟槽通过对所述顶部介质层的刻蚀形成，所述沟槽的底部区域的开口边界由所述多晶硅层的侧面自对准定义，保证所述沟槽的底部将所述像素单元的区域全部打开；所述沟槽的顶部区域的开口边界通过光刻定义，所述沟槽的顶部区域的开口大于所述沟槽的底部区域的开口；所述沟槽的刻蚀工艺以所述多晶硅层为停止层并使所述沟槽的顶部区域的开口边界落在所述多晶硅层上，防止所述沟槽的光刻套准偏差时刻蚀对所述像素单元的表面产生刻蚀损伤。