[发明专利]用于相位检测自动聚焦的双光电二极管有效

专利信息
申请号: 201810419509.8 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108878463B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 郑荣友;熊志伟;渡边一史 申请(专利权)人: 豪威科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘媛媛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种相位检测自动聚焦图像传感器包含安置在半导体材料中的多个光电二极管中的第一光电二极管及所述多个光电二极管中的第二光电二极管。第一钉扎阱安置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间,并且所述第一钉扎阱包含第一沟槽隔离结构,其从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度。第二沟槽隔离结构安置在所述半导体材料中并且环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管。所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度,并且所述第二深度大于所述第一深度。
搜索关键词: 光电二极管 半导体材料 沟槽隔离结构 第一表面 相位检测 钉扎 安置 自动聚焦图像 自动聚焦 传感器 延伸 环绕
【主权项】:
1.一种相位检测自动聚焦图像传感器,其包括:/n多个光电二极管中的第一光电二极管,所述多个光电二极管安置在半导体材料中;/n所述多个光电二极管中的第二光电二极管;/n第一钉扎阱,其安置在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间,其中所述第一钉扎阱包含第一沟槽隔离结构,其从所述半导体材料的第一表面延伸到所述半导体材料中达第一深度,其中所述第一钉扎阱具有掺杂剂密度以当所述第一光电二极管或所述第二光电二极管中的一者包含超过图像电荷的阈值的图像电荷时在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间提供电荷溢出路径;及/n第二钉扎阱,其环绕所述第一光电二极管及所述第二光电二极管,其中所述第二钉扎阱包含第二沟槽隔离结构,其中所述第二沟槽隔离结构从所述半导体材料的所述第一表面延伸到所述半导体材料中达第二深度,其中所述第二深度大于所述第一深度。/n
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