[发明专利]单次激光脉冲曝光写入反射谱形无旁瓣或弱旁瓣的切趾光栅的方法有效

专利信息
申请号: 201810419922.4 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108732668B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 郭会勇;李政颖;郑羽;余海湖;李小甫;姜德生 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 许美红
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种单次激光脉冲曝光写入反射谱形无旁瓣或弱旁瓣的切趾光栅的装置,该装置为相位掩模板法光栅写入装置,其中,聚焦透镜与光轴垂直方向的平面之间呈特定角度,该特定角度为‑70~75°。本发明在常规相位掩模板法光栅写入装置的基础上不增加任何新的器件和装置。本发明基于对原装置中的柱透镜进行位置和状态的调整,实现对光斑能量分布的调制,从而实现单次激光脉冲写入切趾光栅。本发明是一种全新的、简洁有效、具有理论依据的切趾光栅制备方法。
搜索关键词: 激光 脉冲 曝光 写入 反射 谱形无旁瓣 弱旁瓣 光栅 方法
【主权项】:
1.一种单次激光脉冲曝光写入反射谱形无旁瓣或弱旁瓣的切趾光栅的装置,其特征在于,该装置为相位掩模板法光栅写入装置,其中,聚焦透镜与光轴垂直方向的平面之间呈特定角度,该特定角度为‑70~75°。
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