[发明专利]一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法在审
| 申请号： | 201810419941.7 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108550715A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 石胜伟;李文婷 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法，将氧化铟锡(ITO)电极进行清洗后，置于异丙醇中浸泡24小时以上，然后清洗，吹干。该方法可应用于有机/聚合物光电器件的制备。经过简单溶剂浸泡处理的ITO，透光率可以从88％提高到93％以上，功函数从4.7eV提高到5.0eV，相应制备的器件性能也得到很大幅度的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铟锡电极 制备 浸泡 清洗 光电器件 简单溶剂 器件性能 氧化铟锡 聚合物 电极 功函数 透光率 异丙醇 吹干 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理氧化铟锡电极表面的简单高效的方法，其特征在于，将氧化铟锡(ITO)电极进行清洗后，置于异丙醇中浸泡24小时以上，然后清洗，吹干。
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