[发明专利]一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN基紫外LED外延片及其制备方法。所述AlGaN基紫外LED外延片由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层；电子阻挡层由底向上依次包括第一层、第二层和第三层；第一层和第三层均为AlxGa1‑xN层，其中第一铝组分含量x是固定的；第二层为AlyGa1‑yN层，其中第二铝组分含量y是逐渐变化的，y的初始值为x，且y由x逐渐降低；第一层的厚度均小于第二层的厚度和第三层的厚度。本发明通过设置包括三个不同厚度、不同Al组分的铝镓氮层作为电子阻挡层，提高了紫外LED的发光功率和内量子效率，从而改善了紫外LED的性能。

主权项

1.一种AlGaN基紫外LED外延片，其特征在于，所述AlGaN基紫外LED外延片由底向上依次包括：衬底、缓冲层、N型铝镓氮层、多量子阱层、电子阻挡层、P型铝镓氮层和P型氮化镓层；所述电子阻挡层由底向上依次包括第一层、第二层和第三层；所述第一层和所述第三层均为AlxGa1‑xN层，其中第一铝组分含量x是固定的；所述第二层为AlyGa1‑yN层，其中第二铝组分含量y是逐渐变化的，y的初始值为x，且y由x逐渐降低；所述第一层的厚度均小于所述第二层的厚度和所述第三层的厚度。