[发明专利]一种硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤：在N型单晶硅片的上表面制备硅纳米线阵列、第一界面修饰层的制备、第二界面修饰层的制备、第一PEDOT:PSS层的制备、第二PEDOT:PSS层的制备、在所述第二PEDOT:PSS层的整个表面热蒸镀金属铜、正面栅电极的制备以及背面电极的制备。通过改善硅基核壳结构光伏电池的结构以及制备工艺，有效提高了本发明的硅太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在N型单晶硅片的上表面制备硅纳米线阵列，然后在HF溶液中浸泡以去除所述硅纳米线阵列中单个硅纳米线的表面的自然氧化硅；(2)第一界面修饰层的制备：在步骤(1)得到的N型单晶硅片的上表面旋涂含有乙醇铪和Spiro‑OMeTAD的第一混合溶液，其中所述第一混合溶液中乙醇铪的浓度为0.4‑0.8mg/ml，Spiro‑OMeTAD的浓度为3‑5mg/ml，旋涂的转速为5500‑6000转/分钟，然后进行第一次退火处理，形成所述第一界面修饰层；(3)第二界面修饰层的制备：在步骤(2)得到的N型单晶硅片的上表面旋涂含有乙醇铪和Spiro‑OMeTAD的第二混合溶液，其中所述第二混合溶液中乙醇铪的浓度为0.1‑0.3mg/ml，Spiro‑OMeTAD的浓度为6‑8mg/ml，旋涂的转速为5000‑5500转/分钟，然后进行第二次退火处理，形成所述第二界面修饰层；(4)第一PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，旋涂的转速为4500‑5000转/分钟，然后进行第三次退火处理，形成所述第一PEDOT:PSS层；(5)第二PEDOT:PSS层的制备：在步骤(4)得到的n型硅片的正面旋涂含有银纳米线和石墨烯的PEDOT:PSS溶液，旋涂的转速为3000‑3500转/分钟，然后进行第四次退火处理，形成所述第二PEDOT:PSS层(6)在所述第二PEDOT:PSS层的整个表面热蒸镀金属铜，其中，热蒸镀金属铜的速率均为1‑2埃米/秒，每次蒸镀金属铜的时间均为3‑6秒；(7)正面栅电极的制备；(8)背面电极的制备。