[发明专利]一种生产氧化亚硅的方法及装置有效
| 申请号： | 201810421185.1 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108821292B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 储晞 | 申请（专利权）人： | 储晞 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;B01J3/00;B01J3/02;B01J3/04;B01J6/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 孙辉 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
发明提供一种生产氧化亚硅的方法和装置。本发明的方法主要是将含硅物质如/氧化硅、硅单质、含硅气体(液体)、不完全氧化的硅特别是金刚线硅切割废浆分离出的干燥成固体硅粉，通过进一步氧化(包括不完全氧化)、还原或添加二氧化硅达到接近生成氧化亚硅的理想配比，然后通过在有利于氧化亚硅溢出的条件下如高形成氧化亚硅气体，再将气体凝结成棒状、板状或颗粒状或粉状氧化亚硅。本申请一个实施例通过控制硅颗粒(Si)表面的氧化层(SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 生产 氧化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种生产氧化亚硅的方法，其特征是，将硅单质、不完全氧化的硅和二氧化硅通过进一步氧化、还原或添加二氧化硅达到生成氧化亚硅的理想配比的前躯体，然后通过高温升华形成氧化亚硅。
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