[发明专利]红外探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810421489.8 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN110444628B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄勇;赵宇;吴启花 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。该制作方法包括：提供N型衬底；在所述N型衬底上生长形成探测器外延层；对所述探测器外延层进行选择性刻蚀以形成台面侧壁；在所述台面侧壁上形成介质层；在所述介质层上形成悬空电极；在所述N型衬底上形成下电极，在所述探测器外延层上形成上电极。本发明的红外探测器通过在台面侧壁上设置高介电常数材料薄层和高功函数的悬空电极，通过场效应让该悬空电极在不加外置偏压的情况下使吸收区和P型区的能带变平或向上弯曲，从而有效抑制台面侧壁因能带向下弯曲造成的表面漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：提供N型衬底(10)；在所述N型衬底(10)上生长形成探测器外延层(20)；对所述探测器外延层(20)进行选择性刻蚀以形成台面侧壁(21)；在所述台面侧壁(21)上形成介质层(30)；在所述介质层(30)上形成悬空电极(40)；在所述N型衬底(10)上形成下电极(50)，在所述探测器外延层(20)上形成上电极(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
