[发明专利]导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备

摘要

本发明提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备，该方法首先提供一扩散炉管，在扩散炉管内设置一个晶圆盒缓存系统，晶圆盒经由晶圆盒缓存系统装载至扩散炉管内的缓存过程包括如下步骤：通入氮气步骤、排出气体步骤、监测氧气步骤。本发明使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。

主权项

1.一种导电多晶硅触点的扩散生成方法，其特征在于，包括：提供一扩散炉管，在所述扩散炉管内设置一晶圆盒缓存系统；以及，晶圆盒经由所述晶圆盒缓存系统装载至所述扩散炉管内的缓存过程；所述晶圆盒缓存过程包括如下步骤：通入氮气的步骤：所述晶圆盒内载入有晶圆，所述晶圆盒置于晶圆盒缓存系统内，所述晶圆盒缓存系统上设有气动调节阀及与所述气动调节阀连接的进气管道，将所述晶圆盒内部调整为负压状态，打开所述气动调节阀后，所述进气管道自动从所述晶圆盒底部向所述晶圆盒内部通入缓冲气体；排出气体的步骤：所述晶圆盒缓存系统的气体排出装置中设有与所述晶圆盒连通的排气管道，所述晶圆盒内的气体通过所述排气管道排出；监测氧气的步骤：所述晶圆盒缓存系统的氧气监测装置取样测取所述排气管道内的氧气浓度。