[发明专利]一种适用于照明应用的量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种适用于照明应用的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管由底到顶依次包括基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极或由底到顶依次包括基底、底电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、顶电极；量子点发光层为核壳结构，量子点发光层由壳层包覆核层而成；壳层的材料为xZnSe、xZnSe_mS_1‑m、xZn_nCd_1‑nSe、xZn_nCd_1‑nSe_mS_1‑m中的一种，x表示层数，15>x>1，1>m>0.5，1>n>0.5；核层的材料为CdSe、Cd_yZn_1‑ySe、CuInSe₂、CuInSe_yS_1‑y、ZnCuInSe、ZnCuInS、ZnCuInSe_yS_1‑y、Cd_yZn_1‑ySe_kS_1‑k中的一种，1>y>0，1>k>0。本发明能够降低空穴传输层和量子点发光层之间的能级势垒，从而提高了最高效率下量子点发光二极管的亮度，使得量子点发光二极管在高亮度下具有高外量子效率，达到了照明要求。

主权项

1.一种适用于照明应用的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管由底到顶依次包括基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极或由底到顶依次包括基底、底电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层、顶电极；/n所述量子点发光层为核壳结构，所述量子点发光层由壳层包覆核层而成；所述壳层的材料为xZnSe、xZnSe_mS_1-m、xZn_nCd_1-nSe、xZn_nCd_1-nSe_mS_1-m中的一种，x表示层数，15>x>1；所述核层的材料为CdSe、Cd_yZn_1-ySe、CuInSe₂、CuInSe_yS_1-y、ZnCuInSe、ZnCuInS、ZnCuInSe_yS_1-y、Cd_yZn_1-ySe_kS_1-k中的一种；其中，m取值为0.7-0.9，n取值为0.7-0.9，y取值为0.2-0.8，k取值为0.2-0.8；/n所述量子点发光层与所述空穴传输层之间的能级势垒为0-0.8eV。/n