[发明专利]一种基于场效应管的单光子淬灭电路有效
| 申请号： | 201810425446.7 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108709645B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 赵彦立;王润琦;田育充 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于场效应管的单光子淬灭电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，雪崩光电二极管APD，滑动变阻器R以及取样电阻R0，APD阴极与R相连；APD阳极与R0和放大器的一端相连；R0与第一NMOS管的漏极相连；R与第二NMOS管的源极相连；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极与高压偏置电源相连；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极均与脉冲信号相连，雪崩信号经过放大器后输出。通过调节滑动变阻器阻值可有效的减小工作电流，降低功耗，利用两个MOSFET管即可实现单光子的自淬灭过程，结构简单，淬灭电路响应速度快，且工作电流可得到有效限制，有利于实现大规模雪崩光电二极管的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 淬灭 单光子 雪崩光电二极管 放大器 滑动变阻器 场效应管 工作电流 漏极 电路 阴极 阳极 电路响应 降低功耗 脉冲信号 偏置电源 取样电阻 雪崩信号 有效限制 源极接地 减小 源极 输出 | ||
【主权项】：
1.一种基于场效应管的单光子淬灭电路，其特征在于，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、雪崩光电二极管APD、滑动变阻器R和取样电阻R0；所述雪崩光电二极管APD的阴极与所述滑动变阻器R的第一端相连；所述雪崩光电二极管APD的阳极与所述取样电阻R0的第一端相连；所述取样电阻R0的第二端与所述第一NMOS管的漏极相连；所述滑动变阻器R的第二端与所述第二NMOS管的源极相连；所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与高压偏置电源相连；所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极均与脉冲信号相连。
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