[发明专利]一种电场非易失性调控隧道磁电阻的信息存储器件在审
| 申请号： | 201810427415.5 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108447982A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赵永刚;陈爱天;李裴森 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于信息存储技术领域的一种电场非易失性调控隧道磁电阻的信息存储器件；该信息存储器件具有由底电极层、铁电层、种子层、反铁磁层、铁磁钉扎层、非磁性势垒层、铁磁自由层、保护层和顶电极层依次叠加形成的多层复合薄膜结构。铁磁钉扎层、非磁性势垒层和铁磁自由层构成具有隧道磁电阻的磁性隧道结三明治结构。底电极层和种子层分别作为铁电层的正负电极对其施加电场，其中电场方向垂直于铁电层。铁电层在电场作用下通过磁电耦合效应旋转铁磁自由层的磁矩取向以调控隧道磁电阻。本发明在实际应用中电场可以有效调控隧道磁电阻高、低组态来实现信息写入，具有室温、零磁场、低功耗和非易失性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道磁电阻 电场 铁电层 信息存储器件 铁磁自由层 非易失性 铁磁钉扎层 底电极层 非磁性 势垒层 种子层 调控 磁电耦合效应 电场方向垂直 多层复合薄膜 信息存储技术 磁性隧道结 三明治结构 磁矩取向 电场作用 顶电极层 反铁磁层 信息写入 依次叠加 有效调控 正负电极 保护层 低功耗 零磁场 组态 施加 应用 | ||
【主权项】：
1.一种电场非易失性调控隧道磁电阻的信息存储器件，其特征在于，所述电场非易失性调控隧道磁电阻的信息存储器件具有多层复合薄膜结构，所述多层复合薄膜结构由底电极层、铁电层、种子层、反铁磁层、铁磁钉扎层、非磁性势垒层、铁磁自由层、保护层和顶电极层依次叠加形成；具体是所述铁电层形成在底电极层之上；所述种子层形成在铁电层之上；所述反铁磁层形成在种子层之上，用于通过界面耦合对铁磁钉扎层产生钉扎作用；所述铁磁钉扎层形成在反铁磁层之上，其磁矩被反铁磁层钉扎而固定；所述非磁性势垒层形成在铁磁钉扎层之上；所述铁磁自由层形成在非磁性势垒层之上；所述保护层形成在铁磁自由层之上，以保护所述铁磁自由层不被氧化；所述顶电极层形成在所述保护层之上。
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