[发明专利]一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810430506.4 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459658A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王成新;吴向龙;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 261061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法，包括由下而上依次设置的衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层、透明导电膜层、钝化层，所述透明导电膜层上设置有p型欧姆电极，所述n型AlGaN层上设置有N型欧姆电极，所述p型GaN层上刻蚀有规则结构体或不规则结构体。减少了p型GaN层对紫外光的吸收，同时保留了p型GaN层与透明导电膜层的欧姆接触，从而提高UV‑LED的外量子效率和发光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电膜层 不规则结构 电子阻挡层 外量子效率 紫外光 发光功率 规则结构 量子阱层 欧姆接触 依次设置 钝化层 非掺杂 缓冲层 衬底 刻蚀 制备 芯片 保留 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种P型GaN层的UV LED芯片，其特征在于，包括由下而上依次设置的衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层、透明导电膜层、钝化层，所述透明导电膜层上设置有p型欧姆电极，所述n型AlGaN层上设置有N型欧姆电极，所述p型GaN层上刻蚀有规则结构体或不规则结构体。/n
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