[发明专利]一种GaN基斜型栅极HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810430601.4 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459610A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 王成新;马旺;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 261061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基斜型栅极HEMT器件及其制备方法，包括衬底层、沟道层、势垒层、源极、栅极和漏极，衬底层的表面设有所述沟道层，沟道层的表面设有势垒层，势垒层的表面两侧分别设有源极、漏极，在势垒层的表面上，源极、漏极之间设有栅极，栅极的两侧呈斜坡状；其制备方法包括：(1)在衬底层上进行GaN沉积，形成沟道层；(2)在沟道层上生长AlGaN，形成势垒层；(3)在势垒层上，采用栅极透射率渐变技术制作栅极；(4)在势垒层上，在栅极的两侧分别形成源极和漏极。本发明斜型栅极HEMT的制作简单，通过改变栅极版图的透射率渐变方式，得到不同形状的斜栅极结构，提升器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 沟道层 漏极 源极 衬底层 透射率 斜型 制备 击穿电压 技术制作 渐变方式 提升器件 栅极结构 斜坡状 渐变 沉积 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基斜型栅极HEMT器件，其特征在于，包括衬底层、沟道层、势垒层、源极、栅极和漏极，所述衬底层的表面设有所述沟道层，所述沟道层的表面设有所述势垒层，所述势垒层的表面两侧分别设有所述源极、所述漏极，在所述势垒层的表面上，所述源极、所述漏极之间设有所述栅极，所述栅极的两侧呈斜坡状。/n
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