[发明专利]一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810431706.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110459548B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 徐飞;熊毅丰;陈锦辉 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器及其制备方法。该光电探测器包括光纤、范德瓦尔斯异质结结构、一对光纤侧壁金属电极以及一对光纤端面金属电极，光纤侧壁金属电极和光纤端面金属电极相连；范德瓦尔斯异质结结构位于光纤的端面，从下到上依次为二硫化钨薄膜、二硫化钼薄膜和石墨烯薄膜；一对光纤端面金属电极分别连接范德瓦尔斯异质结结构两端的石墨烯薄膜。本发明制备的光电探测器可以实现可见到近红外波段弱光探测功能，以及全波段的强光探测功能，同时具有较好的稳定性和抗干扰能力，在光通讯、光传感领域具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 瓦尔 斯异质结 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于范德瓦尔斯异质结的光电探测器，其特征在于，包括光纤、范德瓦尔斯异质结结构、一对光纤侧壁金属电极以及一对光纤端面金属电极，光纤侧壁金属电极和光纤端面金属电极相连；所述范德瓦尔斯异质结结构位于光纤的端面，从下到上依次为二硫化钨薄膜、二硫化钼薄膜和石墨烯薄膜；所述一对光纤端面金属电极分别连接范德瓦尔斯异质结结构两端的石墨烯薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
