[发明专利]NMDAR抑制剂和T型钙离子通道抑制剂的组合对抑郁症的治疗和药物有效
申请号: | 201810432836.7 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN108853510B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 胡海岚;崔一卉;杨艳 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | A61K45/06 | 分类号: | A61K45/06;A61P25/24 |
代理公司: | 北京启坤知识产权代理有限公司 11655 | 代理人: | 赵晶 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了用于治疗抑郁症的药物组合物,其包括:组分(a)N‑甲基‑D‑天冬氨酸受体抑制剂;和组分(b)T型钙离子通道抑制剂,其中施用于对象的所述组分(a)和组分(b)的其中至少一种的治疗有效量低于不存在另一组分时施用的所述组分的治疗有效量。本发明还提供了组分(a)N‑甲基‑D‑天冬氨酸受体抑制剂;和组分(b)T型钙离子通道抑制剂联合用于制备治疗抑郁症的药物的用途。本发明还提供了用所述药物或药物组合物治疗抑郁症的方法。 | ||
搜索关键词: | nmdar 抑制剂 离子 通道 组合 抑郁症 治疗 药物 | ||
【主权项】:
1.下述组分在联合制备治疗抑郁症的药物中的用途:组分(a)N‑甲基‑D‑天冬氨酸受体(NMDAR)抑制剂;和组分(b)T型钙离子通道(T‑VSCC)抑制剂,优选的,其中所述药物是快速起效治疗抑郁症的药物,更优选的,所述药物是中效和长效的治疗抑郁症的药物。
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