[发明专利]一种微感型IGBT并联均流结构有效
| 申请号： | 201810433573.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108615724B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 翟小社;姚晓飞;王建华;宋政湘 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微感型IGBT并联均流结构，包括载流板及若干IGBT芯片，其中，载流板为上下两面的双层PCB结构，其中，各IGBT芯片呈周向等间距分布，其中，各IGBT芯片的集电极C引线位于载流板的上表面上，各IGBT芯片的发射极E引线位于载流板的下表面上，且同一IGBT芯片中发射极E引线与集电极C引线的垂直投影相互重叠，该结构能够有效避免IGBT芯片电流参数降额使用的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微感型 igbt 并联 结构 | ||
【主权项】：
1.一种微感型IGBT并联均流结构，其特征在于，包括载流板(4)及若干IGBT芯片，其中，载流板(4)为上下两面的双层PCB结构，其中，各IGBT芯片呈周向等间距分布，其中，各IGBT芯片的集电极C引线位于载流板(4)的上表面上，各IGBT芯片的发射极E引线位于载流板(4)的下表面上，且同一IGBT芯片中发射极E引线与集电极C引线的垂直投影相互重叠。
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