[发明专利]一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺在审
| 申请号： | 201810433760.X | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110453288A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 罗毅 | 申请（专利权）人： | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230601安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体应力处理技术领域，尤其是一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并加热到80‑100摄氏度；第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1‑40小时；第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3‑5分钟，清洗1‑2分钟；第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试。本发明通过市场上常见的三酸，通过优化配比形成腐蚀溶液，将晶体材料放置到配置好的腐蚀溶液内腐蚀即可完成对晶体的消除应力操作，本工艺操作简单，化学原料易于取得，适合大晶体制造企业内广泛推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀溶液 清洗 去离子水 测试仪 消光比 配置 化学腐蚀工艺 测试 工艺操作 化学腐蚀 化学原料 晶体表面 晶体材料 晶体切割 清水清洗 时间控制 消除应力 应力处理 大晶体 晶体的 配置的 清水洗 质量比 硝酸 配比 置入 加热 硫酸 盐酸 浸泡 腐蚀 优化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种消除晶体切割应力的化学腐蚀工艺，其特征在于：所述化学腐蚀工艺，/n第一步，配置腐蚀溶液：将硫酸、硝酸、盐酸和水按照200:200:3:1000质量比配置，并将配置好的腐蚀溶液加热到80-100摄氏度；/n第二步，化学腐蚀，将晶体置入所述第一步配置的腐蚀溶液内，时间控制在1-40小时；/n第三步，两道清水清洗：用清水洗去晶体表面的腐蚀溶液；/n第四步，去离子水清洗：将晶体在去离子水内浸泡3-5分钟，然后使用流动的去离子水清洗1-2分钟；/n第五步，消光比测试仪测试：将所述第四步清洗后的晶体通过消光比测试仪进行测试，消光比＞35dB则合格，如消光比≤35dB则返回到所述第二步继续化学腐蚀直到消光比测试合格。/n
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