[发明专利]一种GAGG闪烁晶体制造方法在审
| 申请号： | 201810433910.7 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110453284A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 罗毅 | 申请（专利权）人： | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230601安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及闪烁晶体的生长方法，属于一种GAGG闪烁晶体制造方法，一种GAGG闪烁晶体制造方法，具体如下工艺过程和步骤：（a）原料的配置：原料纯度均为99．99％以上的高纯Gd203、A1203、Ga203和Ce02按照质量分数比6:3:5:5混合，将混合的原料置于马弗炉中，在1200℃下煅烧12 h；（b）晶体生长：将所述（a）步骤制取的原料放置到中频感应加热提拉炉内进行生长，以高纯N和O的混合气体为保护气氛，拉速为0.5～3.0 mm／h，转速为5～15 r／min；生长时间为7～15天，生长出长和宽为7～10mm，厚度为3～5mm的GAGG闪烁晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得GAGG闪烁晶体。本发明一种GAGG闪烁晶体制造方法，通过优化温场结构和生长工艺参数，采用提拉法技术制备以满足GAGG闪烁晶体的生长需要。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁晶体 生长 高纯 生长工艺参数 中频感应加热 制造 工艺过程 混合气体 晶体生长 乙醇擦洗 原料纯度 质量分数 马弗炉 提拉法 提拉炉 抛光 拉速 温场 制备 制取 煅烧 配置 优化 | ||
【主权项】：
1.一种GAGG闪烁晶体制造方法，其特征在于：具体如下工艺过程和步骤：/n（a）原料的配置：原料纯度均为99．99％以上的高纯Gd203、A1203、Ga203和Ce02按照质量分数比6:3:5:5混合，将混合的原料置于马弗炉中，在1200℃下煅烧12 h；/n（b）晶体生长：将所述（a）步骤制取的原料放置到中频感应加热提拉炉内进行生长，以高纯N和O的混合气体为保护气氛，拉速为0.5～3.0 mm／h，转速为5～15 r／min；生长时间为7～15天，生长出长和宽为7～10mm，厚度为3～5mm的GAGG闪烁晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得GAGG闪烁晶体。/n
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