[发明专利]一种防腐蚀热电偶有效

专利信息
申请号: 201810434420.9 申请日: 2018-05-08
公开(公告)号: CN108981941B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 吕崇新 申请(专利权)人: 唐山市开平区天诺热电偶厂
主分类号: G01K7/02 分类号: G01K7/02;G01K1/10
代理公司: 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 代理人: 张大保
地址: 063021 河北省唐山市开平区越河镇高新技*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种防腐蚀钨铼热电偶,防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的:提供钨铼热电偶合金基体;在钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层;在金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层;在氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层;在金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层;在硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层。本发明由于沉积了TiAlSiN层,使得薄膜钨铼热电偶硬度大幅度提高;膜层结构丰富,增加了过渡金属层,使得膜层之间的结合力提高;溅射工艺先进,使得膜层之间的结合力提高,热电偶抗氧化的能力更高。
搜索关键词: 一种 腐蚀 热电偶
【主权项】:
1.一种防腐蚀钨铼热电偶,其特征在于:所述防腐蚀钨铼热电偶是由如下方法制备的:提供钨铼热电偶合金基体;在所述钨铼热电偶合金基体表面利用第一磁控溅射方法沉积金属Al层;在所述金属Al层表面利用第二磁控溅射方法沉积氧化铝层;在所述氧化铝层表面利用第三磁控溅射方法沉积金属Zr层;在所述金属Zr层表面利用第四磁控溅射方法沉积硼化锆层;在所述硼化锆层利用第五磁控溅射方法沉积TiAlSiN层。
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