[发明专利]基于共享传输管的高稳定SRAM存储单元电路有效
| 申请号： | 201810434905.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108597552B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 贺雅娟;张九柏;吴晓清;裴浩然;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C7/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 基于共享传输管的高稳定SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的SRAM存储单元电路，结合该电路的读写方式，使得本发明具有较高的读噪声容限和写裕度；同时本发明基于共享传输管设计，在将本发明提出的SRAM存储单元电路组成存储阵列时，同一列中相邻的SRAM存储单元电路连接同一个共享位线BLS，而一个共享位线BLS可以连接2‑4个SRAM存储单元电路，这样有利于减小存储器的面积；将本发明用于位交错阵列中可以解决半选问题，改善存储器的软错误率的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 共享 传输 稳定 sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
1.基于共享传输管的高稳定SRAM存储单元电路，其特征在于，包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)；第五NMOS管(MN5)和第六NMOS管(MN6)的栅极连接字线(WL)，第五NMOS管(MN5)的漏极连接共享位线(BLS)，其源极连接第三NMOS管(MN3)和第三PMOS管(MP3)的漏极以及第二PMOS管(MP2)、第二NMOS管(MN2)和第四NMOS管(MN4)的栅极；第六NMOS管(MN6)的漏极连接位线(BL)，其源极连接第二NMOS管(MN2)和第四PMOS管(MP4)的漏极以及第三NMOS管(MN3)和第三PMOS管(MP3)的栅极；第一PMOS管(MP1)的栅极连接第一NMOS管(MN1)的栅极、第四PMOS管(MP4)的源极、第二PMOS管(MP2)和第四NMOS管(MN4)的漏极，其漏极连接第一NMOS管(MN1)的漏极和第三NMOS管(MN3)的源极，其源极连接电源电压(VDD)；第一NMOS管(MN1)的源极接地电压(GND)；第四PMOS管(MP4)的栅极连接第一写字线(WWL)；第二NMOS管(MN2)的源极连接控制信号线(VVSS)；第二PMOS管(MP2)和第三PMOS管(MP3)的源极连接电源电压(VDD)；第四NMOS管(MN4)的源极接地电压(GND)；所有NMOS管的体端均与地电压(GND)相连，所有PMOS管的体端均与电源电压(VDD)相连。
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